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TECHNICAL PHYSICS LETTERS

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期刊名字TECHNICAL PHYSICS LETTERSTECHNICAL PHYSICS LETTERS

TECH PHYS LETT+
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8.8

期刊ISSN1063-7850
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E-ISSN1090-6533
2023-2024最新影响因子
(数据来源于搜索引擎)
0.8 点击查看影响因子趋势图
实时影响因子 截止2024年10月29日:0.26
2023-2024自引率12.50%点击查看自引率趋势图
五年影响因子0.5
JCI期刊引文指标 0.12
h-index 29
CiteScore
2024年最新版
CiteScoreSJRSNIPCiteScore排名
1.500.3620.355
学科分区排名百分位
大类:Physics and Astronomy
小类:Physics and Astronomy (miscellaneous)
Q352 / 81

期刊简介
Technical Physics Letters is a companion journal to Technical Physics and offers rapid publication of developments in theoretical and experimental physics with potential technological applications. Recent emphasis has included many papers on gas lasers and on lasing in semiconductors, as well as many reports on high Tc superconductivity. The excellent coverage of plasma physics seen in the parent journal, Technical Physics, is also present here with quick communication of developments in theoretical and experimental work in all fields with probable technical applications. Topics covered are basic and applied physics; plasma physics; solid state physics; physical electronics; accelerators; microwave electron devices; holography.
期刊官方网站https://www.springer.com/11455
期刊投稿网址
作者指南网址https://www.springer.com/11455/submission-guidelines
期刊语言要求经LetPub语言功底雄厚的美籍native English speaker精心编辑的稿件,不仅能满足TECHNICAL PHYSICS LETTERS的语言要求,还能让TECHNICAL PHYSICS LETTERS编辑和审稿人得到更好的审稿体验,让稿件最大限度地被TECHNICAL PHYSICS LETTERS编辑和审稿人充分理解和公正评估。LetPub的专业SCI论文编辑服务(包括SCI论文英语润色同行资深专家修改润色SCI论文专业翻译SCI论文格式排版专业学术制图等)帮助作者准备稿件,已助力全球15万+作者顺利发表论文。部分发表范例可查看:服务好评 论文致谢
提交文稿
是否OA开放访问No
通讯方式MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER, 233 SPRING ST, NEW YORK, USA, NY, 10013-1578
出版商Pleiades Publishing
涉及的研究方向物理-物理:应用
出版国家或地区RUSSIA
出版语言English
出版周期Monthly
出版年份1997
年文章数 162点击查看年文章数趋势图
Gold OA文章占比0.22%
研究类文章占比:
文章 ÷(文章 + 综述)
100.00%
WOS期刊SCI分区
2023-2024年最新版
WOS分区等级:4区

按JIF指标学科分区收录子集JIF分区JIF排名JIF百分位
学科:PHYSICS, APPLIEDSCIEQ4165/179
按JCI指标学科分区收录子集JCI分区JCI排名JCI百分位
学科:PHYSICS, APPLIEDSCIEQ4172/179
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名单(试行)》名单
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物理:应用
3区4区4区
SCI期刊收录coverage Science Citation Index Expanded (SCIE) (2020年1月,原SCI撤销合并入SCIE,统称SCIE)
Scopus (CiteScore)
PubMed Central (PMC)链接http://www.ncbi.nlm.nih.gov/nlmcatalog?term=1063-7850%5BISSN%5D
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    Author: O. N. Kashinsky, P. D. Lobanov, A. S. Kurdyumov, N. A. Pribaturin, S. E. Volkov
    Journal: TECHNICAL PHYSICS LETTERS, 2013, Vol.39, 653-655, DOI:10.1134/s1063785013070171
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    2.Synthesis of aligned arrays of “Microropes” of silica nanowires by gas-jet electron beam plasma chemical vapor deposition method

    Author: E. A. Baranov, A. O. Zamchiy, S. Ya. Khmel
    Journal: TECHNICAL PHYSICS LETTERS, 2013, Vol.39, 1023-1025, DOI:10.1134/s1063785013110163
        DOI
    3.Fabrication of submicrocrystalline structure in solid solutions by radiation-induced phase transition

    Author: V. A. Ivchenko
    Journal: TECHNICAL PHYSICS LETTERS, 2013, Vol.39, 442-445, DOI:10.1134/s1063785013050052
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    Author: S. N. Chebotarev, A. S. Paschenko, L. S. Lunin, V. A. Irkha
    Journal: TECHNICAL PHYSICS LETTERS, 2013, Vol.39, 726-729, DOI:10.1134/s1063785013080178
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    5.Solid-state field-emission diode

    Author: V. A. Bespalov, E. A. Il’ichev, A. E. Kuleshov, D. M. Migunov, R. M. Nabiev, G. N. Petrukhin, G. S. Rychkov, Yu. V. Shcherbakhin
    Journal: TECHNICAL PHYSICS LETTERS, 2013, Vol.39, 206-208, DOI:10.1134/s1063785013020193
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    6.Optimization of carbothermic synthesis of zinc-oxide micro- and nanorod arrays and their morphometric parameters

    Author: N. V. Lyanguzov, E. M. Kaydashev, I. N. Zakharchenko, O. A. Bunina
    Journal: TECHNICAL PHYSICS LETTERS, 2013, Vol.39, 767-770, DOI:10.1134/s1063785013090083
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    Journal: TECHNICAL PHYSICS LETTERS, 2013, Vol.39, 137-139, DOI:10.1134/s1063785013010410
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    9.Generation of single chaotic microwave pulses in a self-oscillating ring system with ferromagnetic film under the action of external noise

    Author: S. V. Grishin, S. A. Nikitov, D. V. Romanenko, V. O. Khudolozhkin, Yu. P. Sharaevskii
    Journal: TECHNICAL PHYSICS LETTERS, 2013, Vol.39, 321-324, DOI:10.1134/s1063785013040056
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    10.Modeling InAs quantum-dot formation on the side surface of GaAs nanowires

    Author: A. D. Bolshakov, V. G. Dubrovskii, Xin Yan, Xia Zhang, Xiaomin Ren
    Journal: TECHNICAL PHYSICS LETTERS, 2013, Vol.39, 1047-1052, DOI:10.1134/s1063785013120043
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