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期刊名字 | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES IEEE T ELECTRON DEV (此期刊被最新的JCR期刊SCIE收录) LetPub评分 7.8
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声誉 8.3 影响力 7.3 速度 8.4 | |||||||||||||||||||||||||||||||
期刊ISSN | 0018-9383 | 微信扫码收藏此期刊 | ||||||||||||||||||||||||||||||
2023-2024最新影响因子 (数据来源于搜索引擎) | 2.9 点击查看影响因子趋势图 | |||||||||||||||||||||||||||||||
实时影响因子 | 截止2024年10月29日:2.341 | |||||||||||||||||||||||||||||||
2023-2024自引率 | 17.20%点击查看自引率趋势图 | |||||||||||||||||||||||||||||||
五年影响因子 | 2.9 | |||||||||||||||||||||||||||||||
JCI期刊引文指标 | 0.71 | |||||||||||||||||||||||||||||||
h-index | 165 | |||||||||||||||||||||||||||||||
CiteScore ( 2024年最新版) |
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期刊简介 |
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期刊官方网站 | http://ieeexplore.ieee.org/xpl/RecentIssue.jsp?punumber=16 | |||||||||||||||||||||||||||||||
期刊投稿网址 | https://mc.manuscriptcentral.com/ted | |||||||||||||||||||||||||||||||
期刊语言要求 | 经LetPub语言功底雄厚的美籍native English speaker精心编辑的稿件,不仅能满足IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES的语言要求,还能让IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES编辑和审稿人得到更好的审稿体验,让稿件最大限度地被IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES编辑和审稿人充分理解和公正评估。LetPub的专业SCI论文编辑服务(包括SCI论文英语润色,同行资深专家修改润色,SCI论文专业翻译,SCI论文格式排版,专业学术制图等)帮助作者准备稿件,已助力全球15万+作者顺利发表论文。部分发表范例可查看:服务好评 论文致谢 。
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是否OA开放访问 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||
通讯方式 | IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141 | |||||||||||||||||||||||||||||||
出版商 | Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. | |||||||||||||||||||||||||||||||
涉及的研究方向 | 工程技术-工程:电子与电气 | |||||||||||||||||||||||||||||||
出版国家或地区 | UNITED STATES | |||||||||||||||||||||||||||||||
出版语言 | English | |||||||||||||||||||||||||||||||
出版周期 | Monthly | |||||||||||||||||||||||||||||||
出版年份 | 0 | |||||||||||||||||||||||||||||||
年文章数 | 1084点击查看年文章数趋势图 | |||||||||||||||||||||||||||||||
Gold OA文章占比 | 6.38% | |||||||||||||||||||||||||||||||
研究类文章占比: 文章 ÷(文章 + 综述) | 100.00% | |||||||||||||||||||||||||||||||
WOS期刊SCI分区 ( 2023-2024年最新版) | WOS分区等级:2区
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中国科学院《国际期刊预警 名单(试行)》名单 | 2024年02月发布的2024版:不在预警名单中 2023年01月发布的2023版:不在预警名单中 2021年12月发布的2021版:不在预警名单中 2020年12月发布的2020版:不在预警名单中 | |||||||||||||||||||||||||||||||
中国科学院SCI期刊分区 ( 2023年12月最新升级版) | 点击查看中国科学院SCI期刊分区趋势图
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中国科学院SCI期刊分区 ( 2022年12月升级版) |
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中国科学院SCI期刊分区 ( 2021年12月旧的升级版) |
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SCI期刊收录coverage | Science Citation Index Expanded (SCIE) (2020年1月,原SCI撤销合并入SCIE,统称SCIE) Scopus (CiteScore) | |||||||||||||||||||||||||||||||
PubMed Central (PMC)链接 | http://www.ncbi.nlm.nih.gov/nlmcatalog?term=0018-9383%5BISSN%5D | |||||||||||||||||||||||||||||||
平均审稿速度 | 网友分享经验: 平均4.7个月 | |||||||||||||||||||||||||||||||
平均录用比例 | 网友分享经验: 较易 | |||||||||||||||||||||||||||||||
APC文章处理费信息 | 版面费:平均 3850 元/页 | |||||||||||||||||||||||||||||||
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期刊常用信息链接 |
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中国学者近期发表的论文 | |
1. | Suppression of Mode Competition in a Triaxial Klystron Amplifier With an Improved Three-Gap Bunching Cavity Author: Yang, Fuxiang; Ge, Xingjun; Dang, Fangchao; He, Juntao; Ju, Jinchuan; Zhang, Xiaoping; Zhou, Yunxiao Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. , Issue , pp. -. DOI: 10.1109/TED.2023.3263151 DOI |
2. | Surface-Potential-Based Drain Current Model for Ambipolar Organic TFTs Author: He, Hongyu; Yin, Junli; Lin, Xinnan; Zhang, Shengdong Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. , Issue , pp. -. DOI: 10.1109/TED.2023.3264718 DOI |
3. | Electrical Performance Enhancement and Low-Frequency Noise Estimation of In2O3-Based Thin Film Transistor Based on Doping Engineering Author: Wu, Xiaoyu; He, Gang; Wang, Wenhao; Wang, Leini; Xu, Xiaofen; Gao, Qian; Liu, Yanmei; Jiang, Shanshan Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. 70, Issue 1, pp. 105-112. DOI: 10.1109/TED.2022.3220482 DOI |
4. | Investigation of the Progressive Gate Breakdown Behaviors in p-GaN Gate HEMTs Author: Chao, Xin; Tang, Chengkang; Tan, Jingjing; Wang, Chen; Sun, QingQing; Zhang, David Wei Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. 70, Issue 1, pp. 25-30. DOI: 10.1109/TED.2022.3220498 DOI |
5. | A Datasheet-Driven Nonsegmented Empirical SPICE Model of SiC MOSFET With Improved Accuracy and Convergence Capability Author: Yang, Tongtong; Li, Xianbing; Yin, Sen; Wang, Yan; Yue, Ruifeng Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. 70, Issue 1, pp. 4-12. DOI: 10.1109/TED.2022.3220481 DOI |
6. | A Refined Ladder Transmission Line Model for the Extraction of Significantly Low Specific Contact Resistivity Author: Sun, Xianglie; Luo, Jun; Liu, Yaodong; Xu, Jing; Gao, Jianfeng; Liu, Jinbiao; Zhou, Xuebing; He, Yanping; Kong, Mengjuan; Li, Yongliang; Li, Junfeng; Wang, Wenwu; Ye, Tianchun Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. 70, Issue 1, pp. 209-214. DOI: 10.1109/TED.2022.3221380 DOI |
7. | Analysis of Breakdown-Voltage Increase on SiC Junction Barrier Schottky Diode Under Negative Bias Stress Author: Jin, Fu-Yuan; Chen, Po-Hsun; Hung, Wei-Chun; Hung, Wei-Chieh; Chang, Chin-Han; Ciou, Fong-Min; Lin, Yu-Shan; Chang, Kai-Chun; Lin, Yun-Hsuan; Kuo, Ting-Tzu; Chen, Kuan-Hsu; Yeh, Chien-Hung; Chang, Ting-Chang Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. 70, Issue 1, pp. 191-195. DOI: 10.1109/TED.2022.3223645 DOI |
8. | Novel Snapback-Free Shorted-Anode SOI-LIGBT With Shallow Oxide Trench and Adaptive Electron Channel Author: Wu, Lijuan; Song, Xuanting; Zhang, Banghui; Liu, Heng; Liu, Qing; Liu, Yangzhi; Qiu, Tao Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. 70, Issue 1, pp. 185-190. DOI: 10.1109/TED.2022.3223325 DOI |
9. | Realization of outstanding Stable 1S1R Behavior Based on AI-Doped NbOx Author: Yang, Gaoqi; Chen, Ao; Liu, Nengfan; Ma, Guokun; Lin, Zhennan; Fu, Yuyang; Zhao, Xiaohu; Rao, Yiheng; Tao, Li; Wan, Houzhao; Duan, Jinxia; Shen, Liangping; Sun, Peng; Yang, Daohong; Wang, Hao Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. 70, Issue 1, pp. 65-69. DOI: 10.1109/TED.2022.3224093 DOI |
10. | The Effects of Postdeposition Anneal and Postmetallization Anneal on Electrical Properties of TiN/ZrO2/TiN Capacitors Author: Li, Yuanbiao; Tang, Xinyi; Xu, Guangwei; Li, Haoxin; He, Song; Hu, Xianqin; Su, Xingsong; Bai, Weiping; Lu, Di; Long, Shibing Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. 70, Issue 1, pp. 59-64. DOI: 10.1109/TED.2022.3223327 DOI |
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