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| 基本信息 | 登录收藏 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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期刊名字 | SOLID-STATE ELECTRONICS SOLID STATE ELECTRON （此期刊被最新的JCR期刊SCIE收录） LetPub评分 5.5
54人评分
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声誉 6.4 影响力 4.1 速度 8.8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 期刊ISSN | 0038-1101 | 微信扫码收藏此期刊 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2023-2024最新影响因子 （数据来源于搜索引擎） | 1.4 点击查看影响因子趋势图 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 实时影响因子 | 截止2024年10月29日：0.987 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2023-2024自引率 | 7.10%点击查看自引率趋势图 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 五年影响因子 | 1.4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JCI期刊引文指标 | 0.33 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| h-index | 87 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CiteScore （ 2024年最新版） |
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| 期刊简介 |
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| 期刊官方网站 | https://www.journals.elsevier.com/solid-state-electronics | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 期刊投稿网址 | http://ees.elsevier.com/sse/ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 期刊语言要求 | Language Please write your text in good English (American or British usage is accepted, but not a mixture of these). Authors who feel their English language manuscript may require editing to eliminate possible grammatical or spelling errors and to conform to correct scientific English may wish to use the English Language Editing service. 经LetPub语言功底雄厚的美籍native English speaker精心编辑的稿件，不仅能满足SOLID-STATE ELECTRONICS的语言要求，还能让SOLID-STATE ELECTRONICS编辑和审稿人得到更好的审稿体验，让稿件最大限度地被SOLID-STATE ELECTRONICS编辑和审稿人充分理解和公正评估。LetPub的专业SCI论文编辑服务（包括SCI论文英语润色，同行资深专家修改润色，SCI论文专业翻译，SCI论文格式排版，专业学术制图等）帮助作者准备稿件，已助力全球15万+作者顺利发表论文。部分发表范例可查看：服务好评 论文致谢 。 提交文稿 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 是否OA开放访问 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 通讯方式 | PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD, THE BOULEVARD, LANGFORD LANE, KIDLINGTON, OXFORD, ENGLAND, OX5 1GB | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版商 | Elsevier Ltd | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 涉及的研究方向 | 物理-工程：电子与电气 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版国家或地区 | UNITED STATES | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版语言 | English | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版周期 | Monthly | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版年份 | 1960 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 年文章数 | 175点击查看年文章数趋势图 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Gold OA文章占比 | 18.40% | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 研究类文章占比： 文章 ÷（文章 + 综述） | 99.43% | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WOS期刊SCI分区 （ 2023-2024年最新版） | WOS分区等级：3区
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| 中国科学院《国际期刊预警 名单（试行）》名单 | 2024年02月发布的2024版：不在预警名单中 2023年01月发布的2023版：不在预警名单中 2021年12月发布的2021版：不在预警名单中 2020年12月发布的2020版：不在预警名单中 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 中国科学院SCI期刊分区 （ 2023年12月最新升级版） | 点击查看中国科学院SCI期刊分区趋势图
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| 中国科学院SCI期刊分区 （ 2022年12月升级版） |
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| 中国科学院SCI期刊分区 （ 2021年12月旧的升级版） |
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| SCI期刊收录coverage | Science Citation Index Expanded (SCIE) (2020年1月，原SCI撤销合并入SCIE，统称SCIE) Scopus (CiteScore) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PubMed Central (PMC)链接 | http://www.ncbi.nlm.nih.gov/nlmcatalog?term=0038-1101%5BISSN%5D | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 平均审稿速度 | 网友分享经验： 一般,3-6周 来源Elsevier官网： 平均9.2周 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 平均录用比例 | 网友分享经验： 容易 来源Elsevier官网： 30% | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LetPub助力发表 | 经LetPub编辑的稿件平均录用比例是未经润色的稿件的1.5倍，平均审稿时间缩短40%。众多作者在使用LetPub的专业SCI论文编辑服务（包括SCI论文英语润色，同行资深专家修改润色，SCI论文专业翻译，SCI论文格式排版，专业学术制图等）后论文在SOLID-STATE ELECTRONICS顺利发表。
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| 在线出版周期 | 来源Elsevier官网： 平均5.4周 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 期刊常用信息链接 |
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| 中国学者近期发表的论文 | |
| 1. | Monolithic TCAD simulation of phase-change memory (PCM/PRAM) plus Ovonic Threshold Switch (OTS) selector device Author: Thesberg, M.; Stanojevic, Z.; Baumgartner, O.; Kernstock, C.; Leonelli, D.; Barci, M.; Wang, X.; Zhou, X.; Jiao, H.; Donadio, G. L.; Garbin, D.; Witters, T.; Kundu, S.; Hody, H.; Delhougne, R.; Kar, G.; Karner, M. Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2023; Vol. 199, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2022.108504 DOI |
| 2. | New insights into the effect of spatially distributed polarization in ferroelectric FET on content addressable memory operation for machine learning applications Author: Su, Chang; Xu, Weikai; Zhang, Lining; Huang, Ru; Huang, Qianqian Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2023; Vol. 199, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2022.108495 DOI |
| 3. | Analysis of uniaxial stress impact on drift velocity of 4H-SiC by full-band Monte Carlo simulation Author: Nishimura, T.; Eikyu, K.; Sonoda, K.; Ogata, T. Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2023; Vol. 199, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2022.108503 DOI |
| 4. | Investigation on holding voltage of asymmetric DDSCR with floating heavy doping in 0.18?m CMOS process Author: Guan, Wenjie; Wang, Yang; Deng, Zhiqin; Yu, Bo; Chen, Xijun; Jin, Xiangliang; Yang, Hongjiao Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2023; Vol. 199, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2022.108486 DOI |
| 5. | On the feasibility of DoS-engineering for achieving sub-60 mV subthreshold slope in MOSFETs Author: Gonzalez-Medina, Jose Maria; Stanojevic, Zlatan; Hou, Zhaozhao; Zhang, Qiang; Li, Wei; Xu, Jeffrei; Karner, Markus Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2023; Vol. 199, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2022.108494 DOI |
| 6. | Lumped-parameter equivalent circuit modeling of solar cells with S-shaped I-V characteristics Author: Fei Yu, Gongyi Huang, Wei Lin, Chuanzhong Xu, Wanling Deng, Xiaoyu Ma, Junkai Huang Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS, 2019, Vol., , DOI:10.1016/j.sse.2019.03.029 DOI |
| 7. | Improved performance of fully-recessed normally-off LPCVD SiN/GaN MISFET using N2O plasma pretreatment Author: Mengjun Li, Jinyan Wang, Hongyue Wang, Qirui Cao, Jingqian Liu, Chengyu Huang Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS, 2019, Vol., , DOI:10.1016/j.sse.2019.03.067 DOI |
| 8. | SnO2 nanoparticles/TiO2 nanofibers heterostructures: in situ fabrication and enhanced gas sensing performance Author: Kunquan Chen, Shijian Chen, Mingyu Pi, Dingke Zhang Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS, 2019, Vol., , DOI:10.1016/j.sse.2019.03.024 DOI |
| 9. | Light-illumination stability of amorphous InGaZnO thin film transistors in oxygen and moisture ambience Author: Chengyuan Dong, Jianeng Xu, Yan Zhou, Ying Zhang, Haiting Xie Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS, 2018, Vol.153, 74-78, DOI:10.1016/j.sse.2018.12.020 DOI |
| 10. | Improved efficiency of organic light emitting devices using graphene oxide with optimized thickness as hole injection layer Author: Yangyang Guo, Wenjun Wang, Shuhong Li, Yunlong Liu, Tingting Liu, Qinglin Wang, Qingru Wang, Xuexi Gao, Quli Fan, Wenlian Li Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS, 2018, Vol.153, 46-51, DOI:10.1016/j.sse.2018.12.017 DOI |
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