2026年6月最新影响因子数据已更新，欢迎查询使用。如果您对期刊系统有任何需求或者问题，欢迎反馈给我们。
 |
体验更多LetPub AI科研工具 >> | |
| 近期推荐： | 热 全流程投稿协助套餐服务 | 热 SCI论文AI润色+人工QC服务 | 热 Springer Nature特刊征稿 | 新 已发表SCI？是时候来Springer出书了！ |
 |
| 基本信息 | 登录收藏 | |||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
期刊名字 | IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS IEEE ELECTR DEVICE L （此期刊被最新的JCR期刊SCIE收录） LetPub评分 8.2
109人评分
我要评分
声誉 8.7 影响力 7.7 速度 8.7 | |||||||||||||||||||||
| 期刊ISSN | 0741-3106 | 安装APP，查看期刊最新消息
| ||||||||||||||||||||
| E-ISSN | 1558-0563 | |||||||||||||||||||||
| 2025-2026最新IF （数据来源于网友提供） | 注册或登录后，查看IF | |||||||||||||||||||||
| 实时影响因子 | 截止2026年5月06日：4.47 | |||||||||||||||||||||
| 2025-2026自引率 | 10.9%点击查看自引率趋势图 | |||||||||||||||||||||
| 五年IF （数据来源于网友提供） | 4.704数据由网友[宅女4319]收集提供 | |||||||||||||||||||||
| h-index | 135 | |||||||||||||||||||||
| CiteScore （ 2026年6月最新版） |
| |||||||||||||||||||||
| 期刊简介 |
| |||||||||||||||||||||
| 期刊官方网站 | http://ieeexplore.ieee.org/xpl/RecentIssue.jsp?punumber=55 | |||||||||||||||||||||
期刊投稿格式模板 VIP专享 |
| |||||||||||||||||||||
| 期刊投稿网址 | http://mc.manuscriptcentral.com/edl | |||||||||||||||||||||
| 该期刊中国学者近期发文 - New | Buffer-Free HEMT With Ultra-Thin AlN Back Barrier and GaN Channel Suppressing Drain Lag and Quiescent Drain Current Drift Author: Zhang, Yachao; Wang, Kelin; Chen, Xing; Liu, Wenjun; Zhou, Hong; Duan, Huantao; Hao, Yue; Zhang, Jincheng Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2026; Vol. 47, Issue 5, pp. 877-880. DOI: 10.1109/LED.2026.3673945 Laser Direct Writing-Assisted Fabrication and Characterization of High-Tc Superconducting Quantum Magnetometers Author: Zhang, Wenzhi; Huang, Yicong; Lin, Jianxin Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2026; Vol. 47, Issue 5, pp. 985-988. DOI: 10.1109/LED.2026.3665152 An Ultralow Ron, sp Accumulation LDMOS With High Process and Application Compatibility Author: Zhang, Chunwei; Lu, Weihao; Ning, Zhaowei; Liu, Chao; Li, Yang; Wang, Xinyu Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2026; Vol. 47, Issue 5, pp. 973-976. DOI: 10.1109/LED.2026.3669905 Fabricated Parasitic-Interbridge-Free TreeFETs for CMOS Low-Power Applications Author: Yu, Yuzhe; Yao, Jiaxin; Cao, Lei; Wang, Yu; Wei, Yanzhao; Xu, Jie; Wang, Zhongrui; Zhang, Hang; Hu, Yangyang; Zhang, Qingzhu; Wang, Xiaolei; Luo, Jun; Yin, Huaxiang Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2026; Vol. 47, Issue 5, pp. 857-860. DOI: 10.1109/LED.2026.3673718 | |||||||||||||||||||||
| 期刊语言要求 | 经LetPub语言功底雄厚的美籍native English speaker精心编辑的稿件，不仅能满足IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS的语言要求，还能让IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS编辑和审稿人得到更好的审稿体验，让稿件最大限度地被IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS编辑和审稿人充分理解和公正评估。LetPub的专业SCI论文编辑服务（包括SCI论文英语润色，同行资深专家修改润色，SCI论文专业翻译，SCI论文格式排版，专业学术制图等）帮助作者准备稿件，已助力全球15万+作者顺利发表论文。部分发表范例可查看：服务好评 论文致谢（1篇） 。
提交文稿 | |||||||||||||||||||||
| 是否OA开放访问 | No | |||||||||||||||||||||
| 通讯方式 | IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141 | |||||||||||||||||||||
| 出版商 | Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. | |||||||||||||||||||||
| 涉及的研究方向 | 工程技术-工程：电子与电气 | |||||||||||||||||||||
| 出版国家或地区 | UNITED STATES | |||||||||||||||||||||
| 出版语言 | English | |||||||||||||||||||||
| 出版周期 | Monthly | |||||||||||||||||||||
| 出版年份 | 1980 | |||||||||||||||||||||
| 年文章数 | 550点击查看年文章数趋势图 | |||||||||||||||||||||
| Gold OA文章占比 | 2.21% | |||||||||||||||||||||
| 研究类文章占比： 文章 ÷（文章 + 综述） | 100.00% | |||||||||||||||||||||
| 期刊分区表预警名单 | 2026年03月发布的新锐学术版：不在预警名单中 2025年03月发布的2025版：不在预警名单中 2024年02月发布的2024版：不在预警名单中 2023年01月发布的2023版：不在预警名单中 2021年12月发布的2021版：不在预警名单中 2020年12月发布的2020版：不在预警名单中 | |||||||||||||||||||||
  | ||||||||||||||||||||||
| 《新锐期刊分区表》 （ 2026年3月发布） | 点击查看期刊分区表趋势图
| |||||||||||||||||||||
| 期刊分区表 （ 2025年3月升级版） |
| |||||||||||||||||||||
| 期刊分区表 （ 2023年12月旧的升级版） |
| |||||||||||||||||||||
| SCI期刊收录coverage | Science Citation Index Expanded (SCIE) (2020年1月，原SCI撤销合并入SCIE，统称SCIE) Scopus (CiteScore) | |||||||||||||||||||||
| PubMed Central (PMC)链接 | http://www.ncbi.nlm.nih.gov/nlmcatalog?term=0741-3106%5BISSN%5D | |||||||||||||||||||||
| 平均审稿速度 | 网友分享经验： 平均1.3个月 | |||||||||||||||||||||
| 平均录用比例 | 网友分享经验： 约25% | |||||||||||||||||||||
| APC文章处理费信息 | 版面费：平均 660 元/页 | |||||||||||||||||||||
| LetPub助力发表 | 经LetPub编辑的稿件平均录用比例是未经润色的稿件的1.5倍，平均审稿时间缩短40%。众多作者在使用LetPub的专业SCI论文编辑服务（包括SCI论文英语润色，同行资深专家修改润色，SCI论文专业翻译，SCI论文格式排版，专业学术制图等）后论文在IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS顺利发表。
快看看作者怎么说吧：服务好评 论文致谢（1篇） 。 提交文稿 | |||||||||||||||||||||
| 期刊常用信息链接 |
| |||||||||||||||||||||
|
|
| |
| 中国学者近期发表的论文 | |
| 1. | Buffer-Free HEMT With Ultra-Thin AlN Back Barrier and GaN Channel Suppressing Drain Lag and Quiescent Drain Current Drift Author: Zhang, Yachao; Wang, Kelin; Chen, Xing; Liu, Wenjun; Zhou, Hong; Duan, Huantao; Hao, Yue; Zhang, Jincheng Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2026; Vol. 47, Issue 5, pp. 877-880. DOI: 10.1109/LED.2026.3673945 DOI |
| 2. | Laser Direct Writing-Assisted Fabrication and Characterization of High-Tc Superconducting Quantum Magnetometers Author: Zhang, Wenzhi; Huang, Yicong; Lin, Jianxin Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2026; Vol. 47, Issue 5, pp. 985-988. DOI: 10.1109/LED.2026.3665152 DOI |
| 3. | An Ultralow Ron, sp Accumulation LDMOS With High Process and Application Compatibility Author: Zhang, Chunwei; Lu, Weihao; Ning, Zhaowei; Liu, Chao; Li, Yang; Wang, Xinyu Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2026; Vol. 47, Issue 5, pp. 973-976. DOI: 10.1109/LED.2026.3669905 DOI |
| 4. | Fabricated Parasitic-Interbridge-Free TreeFETs for CMOS Low-Power Applications Author: Yu, Yuzhe; Yao, Jiaxin; Cao, Lei; Wang, Yu; Wei, Yanzhao; Xu, Jie; Wang, Zhongrui; Zhang, Hang; Hu, Yangyang; Zhang, Qingzhu; Wang, Xiaolei; Luo, Jun; Yin, Huaxiang Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2026; Vol. 47, Issue 5, pp. 857-860. DOI: 10.1109/LED.2026.3673718 DOI |
| 5. | P-Type SnO Thin-Film Transistor With Ultra-Thin Channel and Extremely High ON/OFF Current Ratio Author: Yao, Yiwen; Song, Jialong; Dong, Chaoran; Wang, Ning; Dai, Peng; Gao, Zening; Wang, Yiming; Li, Yuxiang; Zhang, Jiawei; Song, Aimin; Xin, Qian Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2026; Vol. 47, Issue 5, pp. 917-920. DOI: 10.1109/LED.2026.3670204 DOI |
| 6. | Fast Switching Quasi-Inversion-Channel β-Ga2O3 UMOSFET Author: Yao, Huidong; Zhou, Xuanze; Liu, Qi; Zhou, Jingbo; Wong, Man Hoi; Xu, Guangwei; Yang, Shu; Long, Shibing Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2026; Vol. 47, Issue 5, pp. 905-908. DOI: 10.1109/LED.2026.3674673 DOI |
| 7. | High-Performance SOT-MRAM With 52 ppm Raw Bit Error Rate and 1 ppm Write Error Rate via Novel Writing Scheme on 300-mm Wafers Author: Xu, Yi; Wang, Chao; Zeng, Dinggui; Gao, Yang; Ji, Zhenghui; Gu, Yaoyu; Cao, Xin; Li, Zhou; Wang, Shasha; Fu, Ting; Zhou, Tiejun; Sun, Yihui; Guo, Qijun; He, Shikun; Han, Guchang; Liu, Bo Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2026; Vol. 47, Issue 5, pp. 901-904. DOI: 10.1109/LED.2026.3670223 DOI |
| 8. | A General and Non-Destructive P-Type Doping Strategy Toward 2-D Complementary Technology Author: Xu, Guang-Hua; Chen, Shiyou; Liu, Yue-Yang Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2026; Vol. 47, Issue 5, pp. 1029-1032. DOI: 10.1109/LED.2026.3673340 DOI |
| 9. | Symmetric Phase-Engineered Hf1-xZrxO2 Enabling Reliable Non-Destructive Memory Readout Author: Weng, Binjie; Xu, Kangli; Liu, Yongkai; Yu, Jiajie; Wang, Tianyu; Zhu, Hao; Sun, Qingqing; Zhang, David Wei; Chen, Lin Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2026; Vol. 47, Issue 5, pp. 889-892. DOI: 10.1109/LED.2026.3669243 DOI |
| 10. | Enhancing the Switching Ratio of HZO FTJs by Co-Optimizing Work Function and Defect Density Author: Wang, Zhijiang; Liu, Xiaoyan; Liu, Fei Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2026; Vol. 47, Issue 5, pp. 909-912. DOI: 10.1109/LED.2026.3667337 DOI |
|
|
  | ||||||||||||||||
|
投稿状态统计： 我要评分： | ||||||||||||||||
| 投稿前担心稿件结构或语言不够规范？试试稿件自查工具，一键检测 >> | ||||||||||||||||
|
||||||||||||||||
同领域作者分享投稿经验：共140条 |
||||||||||||||||
|
|
联系我们 | 站点地图 | 友情链接 | 授权代理商 | 加入我们
© 2010-2026 中国: LetPub上海 网站备案号：沪ICP备10217908号-1 
沪公网安备号：31010402006960 （网站）31010405000484 （蝌蝌APP）
增值电信业务经营许可证：沪B2-20211595 网络文化经营许可证：沪网文[2023]2004-152号
礼翰商务信息咨询（上海）有限公司 办公地址：上海市徐汇区漕溪北路88号圣爱大厦1803室
安全保密
投稿信 (Cover Letter) 模板
